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產(chǎn)品分類(lèi)
PRODUCT CLASSIFICATION產(chǎn)品中心/ products
訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：226
更新時(shí)間：2025-08-28
;在孔的底部有至少5 mm的鍺活性區(qū)（右側(cè)圖片）。<這種接近4π的幾何張角提供了的計(jì)數(shù)效率。大井（直徑1.55厘米，長(zhǎng)4.0厘米）可容納各種樣本尺寸。與所有ORTEC的HPGe探測(cè)器一樣，HPGe井型探測(cè)器可以存儲(chǔ)或反復(fù)循環(huán)到室溫，而不會(huì)降低性能。 
GWL配置指南 GWL配置指南（A4） 半導(dǎo)體探測(cè)器概述 半導(dǎo)體探測(cè)器的物理學(xué)綜述 遠(yuǎn)程前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線(xiàn)”中移出。對(duì)于低本底應(yīng)用，此選件消除了可能增加屏蔽內(nèi)部本底的任何可能的前置放大器或高壓濾波器組件。
低本底選件（-LB-AWT和-XLB-AWT）
低本底GWL探測(cè)器配有無(wú)氧（OFHC）銅端蓋，帶有0.02英寸壁厚的低本底高純度鋁井。
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